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专业微纳光电子芯片制造商,华慧芯科技广泛应用于光通讯、自动驾驶、智能传感等领域
2023-05-30 09:59:39来源:CIOE中国光博会新闻标签:创新
华慧芯科技集团是专业的微纳光电子芯片制造服务商,已服务500多家客户,生产超过50种不同产品,被广泛地运用在各种终端市场,例如光通讯、自动驾驶、增强现实、智能传感等。华慧芯科技集团荣获天津市技术发明特等奖、全国博士后创新创业大赛金奖第一名、天津市“海河英才”创业大赛一等奖,是国家级高新技术企业、“专精特新”中小企业、战略性新兴产业领军企业,拥有国家授权专利40余项。
华慧芯科技集团获批筹建天津市微纳光电子技术重点实验室,并与京津冀国家技术创新中心联合成立了“微纳光电子技术实验室”,是天津市科技局立项支持的省部级光电子芯片中试平台,目前拥有百余人的高水平技术团队,2000㎡的超净实验室,以及18000㎡的产业化基地。公司具备压印模板、纳米波导、超构表面等跨材料体系的微纳结构光电子芯片的工艺能力;以微纳结构光电子芯片与高端激光器芯片为核心的产品,广泛应用于光通讯、自动驾驶、增强现实、智能传感等领域。
2023年9月6-8日,在第24届中国国际光电博览会上,天津华慧芯科技集团有限公司将展出铌酸锂电光调制器(LN EO Modulator)、铌酸锂光学微环和延迟线(LN Microring and Delay Line)、超表面(Metasurface)、硅光集成器件(Silicon Integrated Optical Device)等产品,诚挚邀请您莅临光电子创新展6号馆6C86展位参观、交流及业务洽谈。
欢迎点击上方登记领取观众证件,现场莅临展台面对面高效交流。
·部分产品抢先看
铌酸锂电光调制器(LN EO Modulator)
产品介绍:
具有“光学硅”之称的铌酸锂(LiNbO3),因其拥有良好的物理化学稳定性、较宽的光学透明窗口、较大的电光系数等天然优势,已成为当前高速电光调制器市场的主流产品,并逐渐衍生出一系列的集成光学器件,有望成为全新的集成光学材料平台。
工艺指标/technic index:
特征尺寸>100nm单层或双层的LN光学结构
磁控溅射厚度1μm或化镀厚度3μm的电极
LNOI波导陡直度70-80°
铌酸锂光学微环和延迟线(LN Microring and Delay Line)
产品介绍:
硅基薄膜铌酸锂(LNOI)材料为铌酸锂光学集成器件提供了全新的平台,其同时具备铌酸锂优异的光学性能和硅材料的集成兼容性,可以很好支撑铌酸锂光学集成器件的发展。制备的20GHz微环和延迟线有望支撑光学滤波及复用等功能。
工艺指标/technic index:
特征尺寸>300nm
刻蚀深度>400nm
硅光集成器件(Silicon Integrated Optical Device)
产品介绍:
硅光技术利用基于硅材料的CMOS微电子工艺实现光子器件的集成制备,该技术结合了CMOS技术的超大规模逻辑、超高精度制造的特性和光子技术超高速率、超低功耗的优势。
工艺指标/technic index:
包含耦合光栅、阵列波导光栅(AWG)、微环(Microring)、
交叉波导(Cross)、光子晶体波导等结构的硅光器件,
可制备特征尺寸>50nm器件,陡直度优于85°
超表面(Metasurface)
产品介绍:
超表面通过亚波长的微纳结构,实现对光波前振幅、相位、偏振等参量的灵活调控,是一种结合了光学与纳米科技的新兴技术。通过EBL配合Ebeam蒸镀和ICP-RIE刻蚀制备形状各异的复杂图形,可实现各种复杂的超表面。
工艺指标/technicindex:
SiO2、SiN、GaAs、InP、a-Si等介质材料
特征尺寸>50nm,陡直度优于87°,深宽比最高可达10:1;
Al、Au、Cu等金属材料超表面
特征尺寸>50nm,粗糙度低,深宽比2:1以上