产品图片

产品介绍

本产品主要针对件In柱制备工艺需求进行设计，通过设备蒸发源的调整，工件转动速度的调整、改变部分控制方式、更换部分检测部件及控制部件，还能适应其它半导体电子元器件的生产。主要特点：根据蒸发生长金属In薄膜工艺要求，平面工件盘带恒温控制，确保金属In薄膜蒸镀生长全过程基片温度：≤80℃。